ISSLg - Cours d'électronique
Les Transistors MOSFET
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Pour plus de détails,
voir Floyd - Fondement d'électronique - 6ème édition :
p821 : Fonctionnement c.c. de transistors à effet de champ (FET)
voir Floyd - Systèmes numériques - 9ème édition :
p786 : 14 - Technologies de circuits intégrés ; 1 - Caractérisitques et paramètres opérationnels
p794 : 14 - Technologies de circuits intégrés ; 2 - Circuits CMOS
Le transistor MOSFET
Le transitor MOSFET est caractérisé par 3 éléments :
- sa source S
- son drain D
- la grille G de commande de la résistance entre source et drain.
Il y a deux types complémentaires de transitor MOSFET :
Le transistor MOSFET canal N
Si UG - US > 1/2Vcc, alors RDS = très faible, le courant peut passer du drain vers la source.
Si UG - US =0V, alors RDS = circuit ouvert
Le transistor MOSFET canal P
Si UG - US < -1/2Vcc, alors RSD = très faible, le courant peut passer de la source vers le drain.
Si UG - US =0V, alors RSD = circuit ouvert
Réalisation de portes avec des transistors MOSFET
Exercice
Que fait la porte ci-dessus ? Dressez sa table de vérité. A quelle porte correspond-elle ?
La porte NAND
Voici un exemple de porte NAND avec 4 transistors MOS :
La sortie 3 états
Schéma du buffer 3 états (3 states output) :
Soit Q = D si E=1
En
effet, si E=0 les deux MOS de sorties sont coupés et la sortie est en
haute impédance, permettant ainsi à un autre circuit de se connecter
sur la même ligne de sortie Q. Cet état en haute impédance est noté "Z" dans la
table de vérité.
Auteur : Philippot Marc - 26/09/2013